专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种耐高温微孔橡塑管-CN201820614723.4有效
  • 刘强生 - 中山市保珑橡塑制品有限公司
  • 2018-04-27 - 2018-12-07 - F16L9/14
  • 本实用新型公开了一种耐高温微孔橡塑管,包括管体、阻燃、防护、防潮、耐高温和微孔,所述管体内部设置有第一间隙,所述阻燃设置在第一间隙内侧,且阻燃内侧设置有第二间隙,所述防护设置在第二间隙内侧,且防护内侧设置有第三间隙,所述防潮设置在第三间隙内侧,且防潮内侧设置有第四间隙,所述耐高温设置在第四间隙内侧,且耐高温内侧设置有第五间隙,所述微孔开设在第一间隙、第二间隙、第三间隙、第四间隙以及第五间隙的内部该耐高温微孔橡塑管在第一间隙、第二间隙、第三间隙、第四间隙以及第五间隙的内部随着了微孔,并且微孔呈交替分布,能够很好地进行透气,同时微孔呈交替分布也能够很好地减少水汽进入。
  • 微孔耐高温层防潮层防护层耐高温橡塑管阻燃层交替分布本实用新型管体内部水汽管体透气
  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210106735.7在审
  • 周俊廷 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-01-28 - 2022-07-22 - H01L21/336
  • 本揭露内容提供一种半导体元件的制造方法,包含形成栅极介电及虚拟栅极;形成罩幕于在虚拟栅极上;图案化栅极介电及虚拟栅极,以形成虚拟栅极结构,其中虚拟栅极结构包含栅极介电的残留部分及虚拟栅极的残留部分;磊晶成长第一间隙于虚拟栅极结构及基材上,其中第一间隙在虚拟栅极结构及基材的多个暴露表面的成长率比在罩幕的多个暴露表面上更高;掺杂第一间隙,以形成掺杂间隙,其中掺杂间隙具有不同于基材的晶格常数;沉积第二间隙于掺杂间隙上;以及蚀刻第二间隙及掺杂间隙,以形成栅极间隙
  • 半导体元件及其制造方法
  • [发明专利]半导体元件及其形成方法-CN201410341635.8有效
  • 吕曼绫;洪裕祥;张仲甫;吴彦良;沈文骏;刘家荣;傅思逸;陈意维 - 联华电子股份有限公司
  • 2014-07-17 - 2020-04-07 - H01L29/78
  • 在衬底上依序形成第一间隙壁材料、第二间隙壁材料以及第三间隙壁材料,且第一间隙壁材料、第二间隙壁材料以及第三间隙壁材料覆盖堆叠结构。蚀刻第一间隙壁材料、第二间隙壁材料以及第三间隙壁材料,以于堆叠结构的侧壁上形成三间隙壁结构。从堆叠结构的一侧算起,三间隙壁结构包括第一间隙壁、第二间隙壁以及第三间隙壁,且第二间隙壁的介电常数小于第一间隙壁以及第三间隙壁的每一者的介电常数。基于上述,第一间隙壁和第三间隙壁可以保护第二间隙壁,以减少栅极对接触窗的寄生电容,同时可避免栅极受损以提升元件效能。
  • 半导体元件及其形成方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610651985.3有效
  • 林毓超;陈昭成;李俊鸿;杨裕隆 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-08-10 - 2020-02-21 - H01L21/02
  • 一种半导体装置的制造方法,包含:形成多个心轴图案(mandrel patterns)在基材的图案上方;以及形成间隙在图案与心轴图案上方,以及在心轴图案的多个侧壁上。此方法还包含利用干式蚀刻技术修整间隙,以使间隙的相邻的侧壁之间的空间实质上与心轴图案在沿着图案宽度方向上的尺寸相匹配。此方法还包含蚀刻间隙,以暴露心轴图案以及图案,使得图案化的间隙形成于心轴图案的侧壁上。于修整间隙以及蚀刻间隙后,此方法还包含移除心轴图案。此方法还包含将图案化的间隙的图案移转至图案
  • 半导体装置制造方法

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